类型 | 描述 | 选择 |
---|---|---|
类别 | 分立半导体产品 晶体管 双极(BJT) 单双极晶体管 | |
制造商 | Diodes Incorporated | |
系列 | - | |
包装 | 卷带(TR) | |
产品状态 | 在售 | |
晶体管类型 | PNP | |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 4.3 A | |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 60 V | |
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 215mV @ 500mA,5A | |
电流 - 集电极截止(最大值) | 20nA(ICBO) | |
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 100 @ 2A,1V | |
功率 - 最大值 | 2.1 W | |
频率 - 跃迁 | 120MHz | |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
安装类型 | 表面贴装型 | |
封装/外壳 | TO-243AA | |
供应商器件封装 | SOT-89-3 | |
基本产品编号 | ZXTP2012 |